Modulbeschreibung
Advanced Deposition II
ECTS-Punkte:
15
Lernziele:
Die Studierenden
- kennen die Verfahren zur Abscheidung und Charakterisierung epitaktischer GaN-Schichten in der Theorie.
- können GaN-Beschichtungsprozesse an einer PVD-Sputteranlage optimieren.
- haben ein Verständnis für Nitrid-Halbleiter.
- haben die Zielsetzungen im GaN-Beschichtungsprojekt erarbeitet und verfügen über eine erfolgversprechende Strategie zum weiteren Vorgehen.
Kurse in diesem Modul
Weiterführende Entwicklung der GaN-Beschichtung:
Theorie und Praxis:
- Grundlagen der epitaktischen GaN-Abscheidung
- Herstellung epitaktischer GaN-Schichten zur Aufnahme des aktuellen Stands
- Schichtcharakterisierung
Projekt mit undefined Lektionen pro Woche
Handbook of GaN semiconductor materials and devices:
Theorie und praktische Aspekte gemäss Buchs zu folgenden Themen:
- Kapitel 1: Grundlagen
- Kapitel 2: Wachstum und Prozessierung
- zusätzliches Kapitel nach Wahl
Selbststudium mit undefined Lektionen pro Woche
Disclaimer
Diese Beschreibung ist rechtlich nicht verbindlich! Weitere Informationen finden Sie in der detaillierten Modulbeschreibung.