Modulbeschreibung

Advanced Deposition

ECTS-Punkte:
15
Lernziele:

Die Studierenden

  • kennen die Verfahren zur Abscheidung und Charakterisierung epitaktischer GaN-Schichten in der Theorie.
  • haben grundlegende GaN-Beschichtungsprozesse an einer PVD-Sputteranlage selbst durchgeführt.
  • kennen die Grundlagen der Mikrofabrikationsverfahren.
  • haben die Zielsetzungen im GaN-Beschichtungsprojekt erarbeitet und verfügt über eine erfolgversprechende Strategie zum weiteren Vorgehen.

Kurse in diesem Modul

Grundlagenentwicklung zur GaN-Beschichtung:

Theorie und Praxis:

  • Grundlagen der epitaktischen GaN-Abscheidung
  • Herstellung epitaktischer GaN-Schichten zur Aufnahme des aktuellen Stands
  • Schichtcharakterisierung
Projekt mit undefined Lektionen pro Woche
Semiconductor Materials - Fundamentals and Fabrication:

Theorie und praktische Aspekte zu folgenden Themen:

  • Grundlagen der Festkörper- und Halbleiterphysik inkl. Transistorfunktion
  • Herstellung einkristallinen Siliziums
  • Halbleiterepitaxie inkl. MBE, MOCVD und LPE
  • Methoden der In-situ-Charakterisierung (Druck, Temperatur, Reflektometrie, Ellipsometrie, LEED, AES, XPS, STM, AFM)
Selbststudium mit undefined Lektionen pro Woche
Disclaimer

Diese Beschreibung ist rechtlich nicht verbindlich! Weitere Informationen finden Sie in der detaillierten Modulbeschreibung.