Modulbeschreibung

Arbeitstechniken und Werkstoffe in den Mikrotechniken

• Messung und Beschreibung von Orientierungen und Orientierungsbeziehungen mittels Stereographischer Projektion und röntgenographischer Texturmessungen.
• Keimbildung, Keimwachstum, Korngefüge und typische Defekte in Kristallfilmen: Entstehung, Eigenschaften und Einflussparameter.
• Band-gap- und Strain-Engineering bei (III-V) Halbleiterstrukturen und mikromechanischen Bauteilen
• Tensorielle Eigenschaften von Werkstoffen am Beispiel von Quarz

Verpackungstechnik mit Kunststoffen

• Funktionen der Verpackungen
• Eigenschaftsprofile von Verpackungen
  - Polstereigenschaften,
  - Permeation und Migration von Stoffen, Sensorik, etc.
• Verfahren zur Herstellung von Verpackungen
  - Multilayer-Folien, Schweissen und Siegeln, Schaumstoffe
  - Beschriftungs- und Bedruckungstechniken
  - Verpackungsmaschinen

Elastomerwerkstoffe

• Typisierung von Elastomeren
• Chemie und messtechnische Charakterisierung der Vernetzung
• Verfahrenstechnik: Compoundierung, Vulkanisation
• spezifische Eigenschaftsprofile
• mechanische Elastizität
• Chemikalien-Beständigkeit und -Durchlässigkeit

Beschichtungstechnik:

• Plasma
  - Grundlagen der Plasmaphysik
  - Aufbau wichtiger Plasmaquellen
• Phyikalische Gasphasenabscheidung (PVD)
  - Thermisches Verdampfen
  - Sputtern
• Chemische Gasphasenabscheidung (CVD)
  - CVD-Reaktoren
  - CVD-Prozesse
  - Modell der Abscheidungsrate

Analytik:

• Dotierverfahren
  - Diffusion
  - Implantation
• Bildgebende Verfahren
• - Rasterelektronenmikroskop (SEM)
  - Transmissionselektronenmikroskop (TEM)
• Spektroskopische Verfahren basierend auf dem Nachweis von Röntgenstrahlung
  - Röntgenfluoreszenz (XRF)
  - Energiedispersive Röntgenspektroskopie (EDX)
• Spektroskopische Verfahren basierend auf dem Nachweis von Elektronen
  - Fotoelektronenspektroskopie durch Röntgenanregung (XPS)
  - Augerelektronenspektroskopie (AES)
  - Elektronenenergieverlustspektroskopie (EELS)
• Spektroskopische Verfahren basierend auf dem Nachweis von Ionen und Atomen
  - Sekundärionenmassenspektroskopie (SIMS)
  - Sekundärneutralteilchenmassenspektroskopie (SNMS)
  - Rückstreuionenspektroskopie (RBS)

• Chemische Grundlagen des Ätzens
• Nassätzen: Isotropes und anisotropes Ätzen von Silizium
• Geometrische Kontrolle im Silizium
• Trockenätzen und die verschiedenen Prozessanlagen
• Plasmaätzen (Barrelätzen, Plattenreaktor)
• Sputterätzen (Reaktives Ionenätzen, Ionenstrahlätzen)
• Deep Reactive Ion Etching (DRIE)
• Opferschichtverfahren (sacrificial layers)
• Photostrukturierbare Gläser
• Galvanik für den LIGA-Prozess

Sensorik

• Kapazitive Sensoren
• Piezoresistive Sensoren
• Resonante Sensoren
• Magnetische Sensoren
• Thermische Sensoren
• Standard Prozesse von integrierten Schaltungen (Bipolar, CMOS)

Die Phasen einer Konzeption (Entwurf, Berechnung, Simulation, Prozessentwicklung, Herstellung, Messung) anhand von Beispielen