Integrierte Schaltkreise sind aus vielen Gründen mechanischen Belastungen ausgesetzt: Die Belastung kann durch den Herstellungsprozess der Wafer, durch die Verpackungsmaterialien, insbesondere Kunststoffkomponenten, durch das Auflöten des Gehäuses auf eine Leiterplatte, durch Spritzgussprozesse zur Herstellung eines Kunststoff-gekapselten Moduls, durch äussere Kräfte wie hydrostatischen Druck und Montagebeschränkungen verursacht werden.
Um die Wirkung der entstehenden mechanischen Spannungen beim Vergiessen eines Mikrochips auf die integrierten Schaltkreise zu verstehen, sollen folgende Effekte studiert, mathematisch beschrieben, präsentiert und zusammengefasst werden: