Modulbeschreibung
Advanced Deposition II
Kürzel:
M_VP_20809
ECTS-Punkte:
15
Lernziele:
Die Studierenden
- kennen die Verfahren zur Abscheidung und Charakterisierung epitaktischer GaN-Schichten in der Theorie.
- können GaN-Beschichtungsprozesse an einer PVD-Sputteranlage optimieren.
- haben ein Verständnis für Nitrid-Halbleiter.
- haben die Zielsetzungen im GaN-Beschichtungsprojekt erarbeitet und verfügen über eine erfolgversprechende Strategie zum weiteren Vorgehen.