Modulbeschreibung

Die Studierenden

• kennen die Verfahren zur Abscheidung und Charakterisierung epitaktischer GaN-Schichten in der Theorie.
• können GaN-Beschichtungsprozesse an einer PVD-Sputteranlage optimieren.
• haben ein Verständnis für Nitrid-Halbleiter.
• haben die Zielsetzungen im GaN-Beschichtungsprojekt erarbeitet und verfügen über eine erfolgversprechende Strategie zum weiteren Vorgehen.

Im Kurs "Weiterführende Entwicklung der GaN-Beschichtung“ wird ein Projekt mittels Bericht und Präsentation mit Prüfungsgespräch bewertet. Im Kurs "Handbook of GaN semiconductor materials and devices“ wird ein Bericht und eine Präsentation mit Prüfungsgespräch bewertet.

Im Kurs "Weiterführende Entwicklung der GaN-Beschichtung“ wird ein Projekt mittels Bericht und Präsentation mit Prüfungsgespräch (Gewicht 70%) bewertet. Im Kurs "Handbook of GaN semiconductor materials and devices“ wird ein Bericht und eine Präsentation mit Prüfungsgespräch (Gewicht 30%) bewertet.

Die Studierenden

• kennen spezifische Verfahren zur Abscheidung und Charakterisierung epitaktischer GaN-Schichten in der Theorie.

• können GaN-Beschichtungsprozesse an einer PVD-Sputteranlage optimieren. 

• können epitaktische Schichten auf verschiedene Ausgangsmaterialien wachsen. 

• recherchieren zielgerichtet projektspezifische Literatur.

• entwickeln Konzepte zum weiteren experimentellen Vorgehen und führt entsprechende Experimente zur epitaktischen GaN-Abscheidung durch.

Ziele des Vertiefungsprojektes sind:

• Weiterführende Beschichtungsexperimente aufbauend auf dem Vorgängermodul
• Charakterisierung der abgeschiedenen GaN-Schichten mit gängigen Dünnschichtanalysemethoden
• Diskussion und Interpretation der Ergebnisse

Theorie und Praxis:

• Grundlagen der epitaktischen GaN-Abscheidung
• Herstellung epitaktischer GaN-Schichten zur Aufnahme des aktuellen Stands
• Schichtcharakterisierung