Modulbeschreibung
Advanced Deposition
Kürzel:
M_VP_19713
ECTS-Punkte:
15
Lernziele:
Die Studierenden
- kennen die Verfahren zur Abscheidung und Charakterisierung epitaktischer GaN-Schichten in der Theorie.
- haben grundlegende GaN-Beschichtungsprozesse an einer PVD-Sputteranlage selbst durchgeführt.
- kennen die Grundlagen der Mikrofabrikationsverfahren.
- haben die Zielsetzungen im GaN-Beschichtungsprojekt erarbeitet und verfügt über eine erfolgversprechende Strategie zum weiteren Vorgehen.