Modulbeschreibung

Die Studierenden

• kennen die Verfahren zur Abscheidung und Charakterisierung epitaktischer GaN-Schichten in der Theorie.
• haben grundlegende GaN-Beschichtungsprozesse an einer PVD-Sputteranlage selbst durchgeführt.
• kennen die Grundlagen der Mikrofabrikationsverfahren.
• haben die Zielsetzungen im GaN-Beschichtungsprojekt erarbeitet und verfügt über eine erfolgversprechende Strategie zum weiteren Vorgehen.

Bachelor of Science in Systemtechnik mit Vertiefung Mikrotechnik

Im Kurs "Grundlagenentwicklung zur GaN-Beschichtung“ wird ein Projekt mittels Bericht und Präsentation mit Prüfungsgespräch bewertet. Im Kurs "Semiconductor Materials - Fundamentals and Fabrication“ wird ein Bericht und ein Prüfungsgespräch bewertet.

Im Kurs "Grundlagenentwicklung zur GaN-Beschichtung“ wird ein Projekt mittels Bericht und Präsentation mit Prüfungsgespräch (Gewicht 70%) bewertet. Im Kurs "Semiconductor Materials - Fundamentals and Fabrication“ wird ein Bericht und ein Prüfungsgespräch (Gewicht 30%) bewertet.

Die Studierenden

• kennen die Verfahren zur Abscheidung von GaN, insbesondere die Möglichkeiten, GaN mit Hilfe eines Sputterprozesses abzuscheiden.

• wissen wie epitaktisches Wachstum erreicht werden kann.

• sind vertraut mit der zugehörigen PVD-Anlagentechnik.

• recherchieren zielgerichtet projektspezifische Literatur.

• entwickeln Konzepte zum weiteren experimentellen Vorgehen bei der epitaktischen GaN-Abscheidung mittels Sputterverfahren.

Ziele des Vertiefungsprojektes sind:

• Aufnehmen und Darstellen des Stands der Technik zur epitaktischen GaN-Sputterbeschichtung
• Einfahren der vorhandenen Sputteranlage mit Flüssigquelle
• Grundlegende Beschichtungsexperimente
• Charakterisierung der abgeschiedenen GaN-Schichten mit gängigen Dünnschichtanalyse-methoden

Theorie und Praxis:

• Grundlagen der epitaktischen GaN-Abscheidung
• Herstellung epitaktischer GaN-Schichten zur Aufnahme des aktuellen Stands
• Schichtcharakterisierung