Modulbeschreibung
Advanced Deposition II
Kürzel:
Durchführungszeitraum:
ECTS-Punkte:
Lernziele:
Die Studierenden
- kennen die Verfahren zur Abscheidung und Charakterisierung epitaktischer GaN-Schichten in der Theorie.
- können GaN-Beschichtungsprozesse an einer PVD-Sputteranlage optimieren.
- haben ein Verständnis für Nitrid-Halbleiter.
- haben die Zielsetzungen im GaN-Beschichtungsprojekt erarbeitet und verfügen über eine erfolgversprechende Strategie zum weiteren Vorgehen.
Verantwortliche Person:
Standort (angeboten):
Vorausgesetzte Module:
Modultyp:
ECTS-Punkte pro Kategorie
Modulbewertung
Bewertungsart:
Leistungsbewertung
Während des Semesters:
Im Kurs "Weiterführende Entwicklung der GaN-Beschichtung“ wird ein Projekt mittels Bericht und Präsentation mit Prüfungsgespräch bewertet. Im Kurs "Handbook of GaN semiconductor materials and devices“ wird ein Bericht und eine Präsentation mit Prüfungsgespräch bewertet.
Bewertungsart:
Gewichtung:
Im Kurs "Weiterführende Entwicklung der GaN-Beschichtung“ wird ein Projekt mittels Bericht und Präsentation mit Prüfungsgespräch (Gewicht 70%) bewertet. Im Kurs "Handbook of GaN semiconductor materials and devices“ wird ein Bericht und eine Präsentation mit Prüfungsgespräch (Gewicht 30%) bewertet.
Bemerkungen:
Kurse in diesem Modul
Weiterführende Entwicklung der GaN-Beschichtung
Kürzel:
Arbeitsaufwand:
Semester:
Lernziele:
Die Studierenden
-
kennen spezifische Verfahren zur Abscheidung und Charakterisierung epitaktischer GaN-Schichten in der Theorie.
-
können GaN-Beschichtungsprozesse an einer PVD-Sputteranlage optimieren.
-
können epitaktische Schichten auf verschiedene Ausgangsmaterialien wachsen.
-
recherchieren zielgerichtet projektspezifische Literatur.
-
entwickeln Konzepte zum weiteren experimentellen Vorgehen und führt entsprechende Experimente zur epitaktischen GaN-Abscheidung durch.
Ziele des Vertiefungsprojektes sind:
- Weiterführende Beschichtungsexperimente aufbauend auf dem Vorgängermodul
- Charakterisierung der abgeschiedenen GaN-Schichten mit gängigen Dünnschichtanalysemethoden
- Diskussion und Interpretation der Ergebnisse
Plan und Lerninhalt:
Theorie und Praxis:
- Grundlagen der epitaktischen GaN-Abscheidung
- Herstellung epitaktischer GaN-Schichten zur Aufnahme des aktuellen Stands
- Schichtcharakterisierung
Kursart:
Durchführung gemäss Stundenplan
Handbook of GaN semiconductor materials and devices
Kürzel:
Arbeitsaufwand:
Semester:
Lernziele:
Die Studierenden
- kennen GaN aus der Theorie.
- haben ein tiefes Verständnis für Nitrid-Halbleiter.
Plan und Lerninhalt:
Theorie und praktische Aspekte gemäss Buchs zu folgenden Themen:
- Kapitel 1: Grundlagen
- Kapitel 2: Wachstum und Prozessierung
- zusätzliches Kapitel nach Wahl
Kursart:
Durchführung gemäss Stundenplan