Modulbeschreibung
Advanced Deposition
Kürzel:
Durchführungszeitraum:
ECTS-Punkte:
Lernziele:
Die Studierenden
- kennen die Verfahren zur Abscheidung und Charakterisierung epitaktischer GaN-Schichten in der Theorie.
- haben grundlegende GaN-Beschichtungsprozesse an einer PVD-Sputteranlage selbst durchgeführt.
- kennen die Grundlagen der Mikrofabrikationsverfahren.
- haben die Zielsetzungen im GaN-Beschichtungsprojekt erarbeitet und verfügt über eine erfolgversprechende Strategie zum weiteren Vorgehen.
Verantwortliche Person:
Standort (angeboten):
Zusätzlich vorausgesetzte Kenntnisse:
Bachelor of Science in Systemtechnik mit Vertiefung Mikrotechnik
Modultyp:
ECTS-Punkte pro Kategorie
Modulbewertung
Bewertungsart:
Leistungsbewertung
Während des Semesters:
Im Kurs "Grundlagenentwicklung zur GaN-Beschichtung“ wird ein Projekt mittels Bericht und Präsentation mit Prüfungsgespräch bewertet. Im Kurs "Semiconductor Materials - Fundamentals and Fabrication“ wird ein Bericht und ein Prüfungsgespräch bewertet.
Bewertungsart:
Gewichtung:
Im Kurs "Grundlagenentwicklung zur GaN-Beschichtung“ wird ein Projekt mittels Bericht und Präsentation mit Prüfungsgespräch (Gewicht 70%) bewertet. Im Kurs "Semiconductor Materials - Fundamentals and Fabrication“ wird ein Bericht und ein Prüfungsgespräch (Gewicht 30%) bewertet.
Bemerkungen:
Kurse in diesem Modul
Grundlagenentwicklung zur GaN-Beschichtung
Kürzel:
Arbeitsaufwand:
Semester:
Lernziele:
Die Studierenden
kennen die Verfahren zur Abscheidung von GaN, insbesondere die Möglichkeiten, GaN mit Hilfe eines Sputterprozesses abzuscheiden.
wissen wie epitaktisches Wachstum erreicht werden kann.
sind vertraut mit der zugehörigen PVD-Anlagentechnik.
recherchieren zielgerichtet projektspezifische Literatur.
entwickeln Konzepte zum weiteren experimentellen Vorgehen bei der epitaktischen GaN-Abscheidung mittels Sputterverfahren.
Ziele des Vertiefungsprojektes sind:
- Aufnehmen und Darstellen des Stands der Technik zur epitaktischen GaN-Sputterbeschichtung
- Einfahren der vorhandenen Sputteranlage mit Flüssigquelle
- Grundlegende Beschichtungsexperimente
- Charakterisierung der abgeschiedenen GaN-Schichten mit gängigen Dünnschichtanalyse-methoden
Plan und Lerninhalt:
Theorie und Praxis:
- Grundlagen der epitaktischen GaN-Abscheidung
- Herstellung epitaktischer GaN-Schichten zur Aufnahme des aktuellen Stands
- Schichtcharakterisierung
Kursart:
Durchführung gemäss Stundenplan
Semiconductor Materials - Fundamentals and Fabrication
Kürzel:
Arbeitsaufwand:
Semester:
Lernziele:
Die Studierenden
- kennen die grundlegenden Verfahren der Mikro- und Halbleiterprozesstechnik.
- können für eine gegebene Problemstellung passende Fabrikations- und Charakterisierungsmethoden erarbeiten.
Plan und Lerninhalt:
Theorie und praktische Aspekte zu folgenden Themen:
- Grundlagen der Festkörper- und Halbleiterphysik inkl. Transistorfunktion
- Herstellung einkristallinen Siliziums
- Halbleiterepitaxie inkl. MBE, MOCVD und LPE
- Methoden der In-situ-Charakterisierung (Druck, Temperatur, Reflektometrie, Ellipsometrie, LEED, AES, XPS, STM, AFM)
Kursart:
Durchführung gemäss Stundenplan